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GI811HE3/54

GI811HE3/54

僅供參考

型號 GI811HE3/54
PNEDA編號 GI811HE3-54
描述 DIODE GEN PURP 100V 1A DO204AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 5,418
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GI811HE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GI811HE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GI811HE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)750ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 100V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AC, DO-15, Axial
供應商設備包裝DO-204AC (DO-15)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4.5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 125V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

60A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 60A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

180ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 40V

電容@ Vr,F

150pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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