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GKR26/12

GKR26/12

僅供參考

型號 GKR26/12
PNEDA編號 GKR26-12
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4
制造商 GeneSiC Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GKR26/12資源

品牌 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GKR26/12
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GKR26/12, GKR26/12數據表 (總頁數: 4, 大小: 607.4 KB)
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GKR26/12規格

制造商GeneSiC Semiconductor
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)25A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.55V @ 60A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr4mA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Chassis, Stud Mount
包裝/箱DO-203AA, DO-4, Stud
供應商設備包裝DO-4
工作溫度-結點-40°C ~ 180°C

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電流-平均整流(Io)

15mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 15mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2.1pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

790mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 100V

電容@ Vr,F

70pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

SMA

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

620mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

800µA @ 60V

電容@ Vr,F

720pF @ 5V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 30V

電容@ Vr,F

12pF @ 10V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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1005

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200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 200V

電容@ Vr,F

45pF @ 4V, 1MHz

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