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GP10-4007E-M3/54

GP10-4007E-M3/54

僅供參考

型號 GP10-4007E-M3/54
PNEDA編號 GP10-4007E-M3-54
描述 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,924
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP10-4007E-M3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP10-4007E-M3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GP10-4007E-M3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1000V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)3µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 1000V
電容@ Vr,F8pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-204AL (DO-41)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

8ns

當前-反向泄漏@ Vr

55µA @ 40V

電容@ Vr,F

29pF @ 4V, 1MHz

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AA, SMB

供應商設備包裝

DO-214AA (SMB)

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

BAT43WS-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

200mA (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

450mV @ 15mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

475mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

200pF @ 4V, 1MHz

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Through Hole

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