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GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

僅供參考

型號 GP1M003A050HG
PNEDA編號 GP1M003A050HG
描述 MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP1M003A050HG資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP1M003A050HG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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GP1M003A050HG規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds395pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)52.1W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

310W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

540nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1040W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 140A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4500pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 417W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

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