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GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

僅供參考

型號 GP1M005A040PG
PNEDA編號 GP1M005A040PG
描述 MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 6,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP1M005A040PG資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP1M005A040PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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GP1M005A040PG規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)400V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.6Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7.1nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds522pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)50W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 36W (Tc)

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.8mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

506pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

138nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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16mOhm @ 61A, 10V

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