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GP1M023A050N

GP1M023A050N

僅供參考

型號 GP1M023A050N
PNEDA編號 GP1M023A050N
描述 MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP1M023A050N資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP1M023A050N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
GP1M023A050N, GP1M023A050N數據表 (總頁數: 5, 大小: 595.59 KB)
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GP1M023A050N規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3391pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)347W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.5A (Ta), 18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1385pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1949pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 113W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.8mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

78nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5420pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

390W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1225pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.2W (Ta), 39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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功耗(最大值)

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