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GP2M020A050N

GP2M020A050N

僅供參考

型號 GP2M020A050N
PNEDA編號 GP2M020A050N
描述 MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 3,006
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP2M020A050N資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP2M020A050N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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GP2M020A050N規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs300mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs44nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2880pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)312W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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