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GP2M023A050N

GP2M023A050N

僅供參考

型號 GP2M023A050N
PNEDA編號 GP2M023A050N
描述 MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 3,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP2M023A050N資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP2M023A050N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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GP2M023A050N規格

制造商Global Power Technologies Group
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)23A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs220mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs64nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3270pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)347W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-3PN
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1.75A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

374pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.9W (Tc)

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.25mOhm @ 195A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

240nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9130pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

380W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 36A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1380pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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