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GP30KHE3/54

GP30KHE3/54

僅供參考

型號 GP30KHE3/54
PNEDA編號 GP30KHE3-54
描述 DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GP30KHE3/54資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GP30KHE3/54
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
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GP30KHE3/54規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列SUPERECTIFIER®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 800V
電容@ Vr,F-
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-201AD, Axial
供應商設備包裝DO-201AD
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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840mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

20µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-277-3

工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 45V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

93pF @ 4V, 1MHz

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Surface Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

10A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.6V @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

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