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GPAS1002 MNG

GPAS1002 MNG

僅供參考

型號 GPAS1002 MNG
PNEDA編號 GPAS1002-MNG
描述 DIODE GEN PURP 100V 10A TO263AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 14 - 一月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GPAS1002 MNG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GPAS1002 MNG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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GPAS1002 MNG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)100V
電流-平均整流(Io)10A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 10A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 100V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB (D²PAK)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 30V

電容@ Vr,F

160pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5mA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.8µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 60V

電容@ Vr,F

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