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GSID100A120T2C1

GSID100A120T2C1

僅供參考

型號 GSID100A120T2C1
PNEDA編號 GSID100A120T2C1
描述 SILICON IGBT MODULES
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 2,214
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GSID100A120T2C1資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GSID100A120T2C1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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GSID100A120T2C1規格

制造商Global Power Technologies Group
系列Amp+™
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大640W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce13.7nF @ 25V
輸入Three Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

26.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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輸入電容(Cies)@ Vce

10.7nF @ 25V

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當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.35nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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