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GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

僅供參考

型號 GT50J121(Q)
PNEDA編號 GT50J121-Q
描述 IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GT50J121(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GT50J121(Q)
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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GT50J121(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 50A
功率-最大240W
開關能量1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)90ns/300ns
測試條件300V, 50A, 13Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PL
供應商設備包裝TO-3P(LH)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

75A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

功率-最大

395W

開關能量

1.4mJ (on), 1.65mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

67nC

25°C時的Td(開/關)

37ns/140ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

TO-252AA

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制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 15A

功率-最大

198W

開關能量

1.9mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

130nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/580ns

測試條件

800V, 15A, 33Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PG-TO247-3

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

電流-集電極脈沖(Icm)

330A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 20A

功率-最大

223W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-3P-3, SC-65-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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