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GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

僅供參考

型號 GT8G133(TE12L,Q)
PNEDA編號 GT8G133-TE12L-Q
描述 IGBT 400V 600MW 8TSSOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,896
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 29 - 七月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GT8G133(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GT8G133(TE12L,Q)
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
GT8G133(TE12L, GT8G133(TE12L數據表 (總頁數: 7, 大小: 221.77 KB)
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GT8G133(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)400V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 4V, 150A
功率-最大600mW
開關能量-
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)1.7µs/2µs
測試條件-
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供應商設備包裝8-TSSOP

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 40A

功率-最大

543W

開關能量

385µJ (on), 352µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/64ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11.5A

電流-集電極脈沖(Icm)

23A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 9A

功率-最大

34W

開關能量

340µJ (on), 300µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

34nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/180ns

測試條件

480V, 9A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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14A

電流-集電極脈沖(Icm)

56A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 7A

功率-最大

80W

開關能量

85µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

42nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 7A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

123nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 75A, 3Ohm, 15V

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