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GURB5H60-E3/81

GURB5H60-E3/81

僅供參考

型號 GURB5H60-E3/81
PNEDA編號 GURB5H60-E3-81
描述 DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GURB5H60-E3/81資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GURB5H60-E3/81
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
GURB5H60-E3/81, GURB5H60-E3/81數據表 (總頁數: 3, 大小: 54.2 KB)
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GURB5H60-E3/81規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr20µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

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275A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

250ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 600V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

-

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