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GWM70-01P2

GWM70-01P2

僅供參考

型號 GWM70-01P2
PNEDA編號 GWM70-01P2
描述 MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GWM70-01P2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GWM70-01P2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
GWM70-01P2, GWM70-01P2數據表 (總頁數: 2, 大小: 100.18 KB)
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GWM70-01P2規格

制造商IXYS
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱ISOPLUS-DIL™
供應商設備包裝ISOPLUS-DIL™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.58A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1495pF @ 10V

功率-最大

880mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1340pF @ 16V

功率-最大

2W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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