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GWM70-01P2

GWM70-01P2

僅供參考

型號 GWM70-01P2
PNEDA編號 GWM70-01P2
描述 MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
制造商 IXYS
單價 請求報價
庫存 7,344
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GWM70-01P2資源

品牌 IXYS
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GWM70-01P2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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GWM70-01P2規格

制造商IXYS
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)70A
Rds On(Max)@ Id,Vgs14mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs110nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱ISOPLUS-DIL™
供應商設備包裝ISOPLUS-DIL™

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V, 7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.43nC @ 4.5V, 0.35nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

17pF @ 10V, 36pF @ 25V

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 9.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1835pF @ 20V

功率-最大

48W

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

259pF @ 10V

功率-最大

500mW

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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