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H11A1M

H11A1M

僅供參考

型號 H11A1M
PNEDA編號 H11A1M_190
描述 OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 Lite-On Inc.
單價 請求報價
庫存 6,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A1M資源

品牌 Lite-On Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A1M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A1M, H11A1M數據表 (總頁數: 8, 大小: 194.7 KB)
PDFH11A5數據表 封面
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H11A1M規格

制造商Lite-On Inc.
系列-
頻道數1
電壓-隔離5000Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.8µs, 4.5µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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電流傳輸比(最小值)

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

2µs, 200µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

100mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

6-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

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輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

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