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H11A3M

H11A3M

僅供參考

型號 H11A3M
PNEDA編號 H11A3M_6B
描述 OPTOISO 7.5KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A3M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A3M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A3M, H11A3M數據表 (總頁數: 9, 大小: 257.75 KB)
PDFH11A3FR2VM數據表 封面
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H11A3M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離7500Vpk
電流傳輸比(最小值)20% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)2µs, 2µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.1V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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系列

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

25% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

20µs, 50µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

100mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.23V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD, Gull Wing

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電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

1.5µs, 7µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

7V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

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工作溫度

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輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

24V

電流-輸出/通道

2A

電壓-正向(Vf)(典型值)

-

電流-直流正向(If)(最大值)

7.5mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-25°C ~ 50°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

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80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

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80mA

Vce飽和度(最大值)

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