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H11A617B3SD

H11A617B3SD

僅供參考

型號 H11A617B3SD
PNEDA編號 H11A617B3SD
描述 OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,104
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11A617B3SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11A617B3SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11A617B3SD, H11A617B3SD數據表 (總頁數: 9, 大小: 85.1 KB)
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H11A617B3SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)63% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)125% @ 10mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)2.4µs, 2.4µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.35V
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝4-SMD

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100% @ 5mA

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200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

63% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

125% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.43V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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安裝類型

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包裝/箱

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1

電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

1000% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 150µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington with Base

電壓-輸出(最大值)

7V

電流-輸出/通道

60mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

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安裝類型

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

230% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

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