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H11AG2S

H11AG2S

僅供參考

型號 H11AG2S
PNEDA編號 H11AG2S
描述 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,218
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11AG2S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11AG2S
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11AG2S, H11AG2S數據表 (總頁數: 8, 大小: 140.95 KB)
PDFH11AG3W數據表 封面
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H11AG2S規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 5µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道50mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.5V (Max)
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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輸入類型

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輸出類型

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電壓-輸出(最大值)

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電流-輸出/通道

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電壓-正向(Vf)(典型值)

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電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

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輸入類型

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輸出類型

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電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

500mV

工作溫度

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安裝類型

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

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頻道數

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

20% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 2µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

100mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

6-DIP (0.300", 7.62mm)

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上升/下降時間(典型值)

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DC

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電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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