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H11B255SD

H11B255SD

僅供參考

型號 H11B255SD
PNEDA編號 H11B255SD
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 26 - 三月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11B255SD資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11B255SD
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11B255SD, H11B255SD數據表 (總頁數: 8, 大小: 158.7 KB)
PDFTIL113W數據表 封面
TIL113W數據表 頁面 2 TIL113W數據表 頁面 3 TIL113W數據表 頁面 4 TIL113W數據表 頁面 5 TIL113W數據表 頁面 6 TIL113W數據表 頁面 7 TIL113W數據表 頁面 8

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H11B255SD規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)25µs, 18µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)55V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)100mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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輸入類型

-

輸出類型

-

電壓-輸出(最大值)

-

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

-

電流-直流正向(If)(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)

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工作溫度

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

19% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

50% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

200ns, 600ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

15% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

22% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

200ns, 600ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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頻道數

1

電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.25V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SOIC (0.179", 4.55mm Width), 4 Leads

供應商設備包裝

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 500µA

電流傳輸比(最大值)

400% @ 500µA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

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