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H11D4W

H11D4W

僅供參考

型號 H11D4W
PNEDA編號 H11D4W
描述 OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11D4W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11D4W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11D4W, H11D4W數據表 (總頁數: 8, 大小: 376.2 KB)
PDFH11D4W數據表 封面
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H11D4W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)10% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 5µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)200V
電流-輸出/通道100mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.15V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

160% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

6µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

3µs, 4.7µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.43V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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頻道數

1

電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

80% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

160% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.17V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

400ns, 1µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

18V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.55V

電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

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80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3.5µs (Max)

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.35V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

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