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H11G33S

H11G33S

僅供參考

型號 H11G33S
PNEDA編號 H11G33S
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11G33S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11G33S
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11G33S, H11G33S數據表 (總頁數: 6, 大小: 129.69 KB)
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H11G33S規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)200% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 100µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)55V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)1.2V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝6-SMD

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電流傳輸比(最小值)

300% @ 5mA

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600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

10µs, 10µs (Max)

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

30mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

40mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

頻道數

1

電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

-

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

25µs, 25µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

MOSFET

電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.3V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最小值)

200% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 8µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Darlington

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

40mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

10mA

Vce飽和度(最大值)

110mV

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

35V

電流-輸出/通道

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