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HAT2197R-EL-E

HAT2197R-EL-E

僅供參考

型號 HAT2197R-EL-E
PNEDA編號 HAT2197R-EL-E
描述 MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 21 - 十一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAT2197R-EL-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAT2197R-EL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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HAT2197R-EL-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)16A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.7mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs18nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2650pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SOP
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.8Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

200nC @ 10V

Vgs(最大)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

635pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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