HAT2210RWS-E
僅供參考
型號 | HAT2210RWS-E |
PNEDA編號 | HAT2210RWS-E |
描述 | MOSFET N-PAK 8SOP |
制造商 | Renesas Electronics America |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 3,600 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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HAT2210RWS-E資源
品牌 | Renesas Electronics America |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | HAT2210RWS-E |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-陣列 |
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HAT2210RWS-E規格
制造商 | Renesas Electronics America |
系列 | - |
FET類型 | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
FET功能 | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
漏極至源極電壓(Vdss) | 30V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 2.5V @ 1mA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
功率-最大 | 1.5W (Ta) |
工作溫度 | 150°C |
安裝類型 | Surface Mount |
包裝/箱 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
供應商設備包裝 | 8-SOP |
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