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HAT2210RWS-E

HAT2210RWS-E

僅供參考

型號 HAT2210RWS-E
PNEDA編號 HAT2210RWS-E
描述 MOSFET N-PAK 8SOP
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAT2210RWS-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAT2210RWS-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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HAT2210RWS-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual), Schottky
FET功能Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)7.5A (Ta), 8A (Ta)
Rds On(Max)@ Id,Vgs24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
功率-最大1.5W (Ta)
工作溫度150°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOP

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 4.8A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 10V

功率-最大

450mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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FET類型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

1200V (1.2kV)

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

684mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

187nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5155pF @ 25V

功率-最大

390W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP6

供應商設備包裝

SP6-P

DMC25D0UVT-7

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

25V, 30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26.2pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

供應商設備包裝

TSOT-26

DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

制造商

Diodes Incorporated

系列

-

FET類型

N and P-Channel, Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

35V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A, 5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

功率-最大

1.54W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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