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HAT2279H-EL-E

HAT2279H-EL-E

僅供參考

型號 HAT2279H-EL-E
PNEDA編號 HAT2279H-EL-E
描述 MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
制造商 Renesas Electronics America
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HAT2279H-EL-E資源

品牌 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HAT2279H-EL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HAT2279H-EL-E, HAT2279H-EL-E數據表 (總頁數: 10, 大小: 105.77 KB)
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HAT2279H-EL-E規格

制造商Renesas Electronics America
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3520pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝LFPAK
包裝/箱SC-100, SOT-669

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650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 13.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

556mW (Ta), 12.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1676pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 44.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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