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HCT7000MTXV

HCT7000MTXV

僅供參考

型號 HCT7000MTXV
PNEDA編號 HCT7000MTXV
描述 MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
制造商 TT Electronics/Optek Technology
單價 請求報價
庫存 4,338
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HCT7000MTXV資源

品牌 TT Electronics/Optek Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HCT7000MTXV
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
HCT7000MTXV, HCT7000MTXV數據表 (總頁數: 2, 大小: 184.29 KB)
PDFHCT7000MTXV數據表 封面
HCT7000MTXV數據表 頁面 2

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HCT7000MTXV規格

制造商TT Electronics/Optek Technology
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)200mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±40V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds60pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-SMD
包裝/箱3-SMD, No Lead

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

212nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12493pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

306W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

325pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

56.8W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Ta), 66A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1850pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

870mW (Ta), 41.7W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

900mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.98nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

65pF @ 25V

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功耗(最大值)

1.9W (Tc)

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