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HER605-TP

HER605-TP

僅供參考

型號 HER605-TP
PNEDA編號 HER605-TP
描述 DIODE GPP HE 6A R-6
制造商 Micro Commercial Co
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HER605-TP資源

品牌 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HER605-TP
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
HER605-TP, HER605-TP數據表 (總頁數: 3, 大小: 431.26 KB)
PDFHER608-TP數據表 封面
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HER605-TP規格

制造商Micro Commercial Co
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)6A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 40V
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F100pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱R6, Axial
供應商設備包裝R-6
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

1A

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550mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

2-SMD, J-Lead

供應商設備包裝

SJP

工作溫度-結點

-40°C ~ 150°C

SS110L RQG

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

800mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

520mV @ 5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

220µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

PowerDI™ 5

供應商設備包裝

PowerDI™ 5

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

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制造商

STMicroelectronics

系列

-

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

710mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

4.5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 2.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

500ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

34pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

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