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HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

僅供參考

型號 HGT1S14N36G3VLS
PNEDA編號 HGT1S14N36G3VLS
描述 IGBT 390V 18A 100W TO263AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,362
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGT1S14N36G3VLS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGT1S14N36G3VLS
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGT1S14N36G3VLS, HGT1S14N36G3VLS數據表 (總頁數: 8, 大小: 224.09 KB)
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HGT1S14N36G3VLS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)390V
當前-集電極(Ic)(最大值)18A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.2V @ 5V, 14A
功率-最大100W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用24nC
25°C時的Td(開/關)-/7µs
測試條件300V, 7A, 25Ohm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

功率-最大

167W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

31A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 17A

功率-最大

100W

開關能量

230µJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

21ns/200ns

測試條件

480V, 17A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

45A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

250W

開關能量

900µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/183ns

測試條件

400V, 15A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

110ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

96A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 24A

功率-最大

150W

開關能量

240µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/75ns

測試條件

480V, 24A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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