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HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

僅供參考

型號 HGT1S20N35G3VLS
PNEDA編號 HGT1S20N35G3VLS
描述 IGBT 380V 20A 150W TO263AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 31 - 四月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGT1S20N35G3VLS資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGT1S20N35G3VLS
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGT1S20N35G3VLS, HGT1S20N35G3VLS數據表 (總頁數: 7, 大小: 247.24 KB)
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HGT1S20N35G3VLS規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)375V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 5V, 20A
功率-最大150W
開關能量-
輸入類型Logic
門禁費用28.7nC
25°C時的Td(開/關)-/15µs
測試條件300V, 10A, 25Ohm, 5V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/127ns

測試條件

960V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

30A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 10A

功率-最大

150W

開關能量

180µJ (on), 130µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

12ns/91ns

測試條件

400V, 10A, 30Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

262ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

27A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 9A

功率-最大

180W

開關能量

530µJ (on), 380µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

45nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/110ns

測試條件

600V, 9A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

26A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 5A

功率-最大

90W

開關能量

110µJ (on), 135µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

18.2nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/215ns

測試條件

400V, 5A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

70ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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門禁費用

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