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HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

僅供參考

型號 HGT1S20N60C3S9A
PNEDA編號 HGT1S20N60C3S9A
描述 IGBT 600V 45A 164W TO263AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 21,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 4 - 四月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGT1S20N60C3S9A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGT1S20N60C3S9A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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HGT1S20N60C3S9A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.8V @ 15V, 20A
功率-最大164W
開關能量295µJ (on), 500µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用91nC
25°C時的Td(開/關)28ns/151ns
測試條件480V, 20A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝TO-263AB

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 20A

功率-最大

384W

開關能量

450µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

225nC

25°C時的Td(開/關)

-/235ns

測試條件

600V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 31A

功率-最大

160W

開關能量

450µJ (on), 6.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/650ns

測試條件

480V, 31A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

42A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 12A

功率-最大

125W

開關能量

81µJ (on), 125µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/90ns

測試條件

390V, 12A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

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180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 60A

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