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HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

僅供參考

型號 HGT1S2N120CN
PNEDA編號 HGT1S2N120CN
描述 IGBT 1200V 13A 104W I2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,606
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGT1S2N120CN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGT1S2N120CN
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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HGT1S2N120CN規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)13A
電流-集電極脈沖(Icm)20A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 2.6A
功率-最大104W
開關能量96µJ (on), 355µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用30nC
25°C時的Td(開/關)25ns/205ns
測試條件960V, 2.6A, 51Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供應商設備包裝TO-262

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

260A

電流-集電極脈沖(Icm)

580A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 82A

功率-最大

1250W

開關能量

5.5mJ (on), 12.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

340nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/265ns

測試條件

600V, 80A, 2Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.82V @ 15V, 20A

功率-最大

178.5W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

D2PAK

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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