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HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

僅供參考

型號 HGTG10N120BND
PNEDA編號 HGTG10N120BND
描述 IGBT 1200V 35A 298W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 15,480
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG10N120BND資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG10N120BND
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTG10N120BND, HGTG10N120BND數據表 (總頁數: 10, 大小: 230.65 KB)
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HGTG10N120BND規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)35A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 10A
功率-最大298W
開關能量850µJ (on), 800µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用100nC
25°C時的Td(開/關)23ns/165ns
測試條件960V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)70ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 8A

功率-最大

38W

開關能量

310µJ (on), 3.28mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

15nC

25°C時的Td(開/關)

76ns/815ns

測試條件

480V, 8A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

28ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/350ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-268

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

16A

電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

105W

開關能量

236µJ (on), 290µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/118ns

測試條件

800V, 3A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

供應商設備包裝

IPAK (TO-251)

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

330V

當前-集電極(Ic)(最大值)

180A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

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