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HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

僅供參考

型號 HGTG11N120CND
PNEDA編號 HGTG11N120CND
描述 IGBT 1200V 43A 298W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,208
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 22 - 三月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG11N120CND資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG11N120CND
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTG11N120CND, HGTG11N120CND數據表 (總頁數: 10, 大小: 229.9 KB)
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HGTG11N120CND規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)43A
電流-集電極脈沖(Icm)80A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 11A
功率-最大298W
開關能量950µJ (on), 1.3mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用100nC
25°C時的Td(開/關)23ns/180ns
測試條件960V, 11A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)70ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

510A

電流-集電極脈沖(Icm)

1075A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 100A

功率-最大

2300W

開關能量

3.35mJ (on), 1.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

438nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/160ns

測試條件

400V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

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3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 12A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.4µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

IXYS

系列

GenX3™

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

36A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 16A

功率-最大

180W

開關能量

920µJ (on), 560µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

51nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/150ns

測試條件

600V, 16A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.5V @ 15V, 20A

功率-最大

49.2W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

125nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

21ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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