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HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

僅供參考

型號 HGTP5N120BND
PNEDA編號 HGTP5N120BND
描述 IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,424
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 29 - 七月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTP5N120BND資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTP5N120BND
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTP5N120BND, HGTP5N120BND數據表 (總頁數: 10, 大小: 295.93 KB)
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HGTP5N120BND規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)21A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 5A
功率-最大167W
開關能量450µJ (on), 390µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用53nC
25°C時的Td(開/關)22ns/160ns
測試條件960V, 5A, 25Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)65ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

13A

電流-集電極脈沖(Icm)

52A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 6.5A

功率-最大

60W

開關能量

60µJ (on), 80µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

26nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/110ns

測試條件

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供應商設備包裝

TO-268

制造商

IXYS

系列

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IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

180W

開關能量

2.85mJ (on), 6.47mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/290ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

268W

開關能量

1.01mJ (on), 297µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

72.2nC

25°C時的Td(開/關)

19.2ns/65.6ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

31.8ns

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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