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HIP2100EIBT

HIP2100EIBT

僅供參考

型號 HIP2100EIBT
PNEDA編號 HIP2100EIBT
描述 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 8SOIC
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 7,884
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP2100EIBT資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP2100EIBT
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP2100EIBT, HIP2100EIBT數據表 (總頁數: 13, 大小: 742.81 KB)
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HIP2100EIBT規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH4V, 7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)114V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
供應商設備包裝8-SOIC-EP

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 3.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

9A, 9A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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頻道類型

Single

驅動程序數量

1

門類型

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電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.22V, 2.08V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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200ns, 25ns

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

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-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

9V ~ 14V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

114V

上升/下降時間(典型值)

10ns, 10ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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