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HIP2100IR4ZT

HIP2100IR4ZT

僅供參考

型號 HIP2100IR4ZT
PNEDA編號 HIP2100IR4ZT
描述 IC DRIVER HALF BRIDGE 100V 12DFN
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP2100IR4ZT資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP2100IR4ZT
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP2100IR4ZT, HIP2100IR4ZT數據表 (總頁數: 13, 大小: 742.81 KB)
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HIP2100IR4ZT規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH4V, 7V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)114V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱12-VFDFN Exposed Pad
供應商設備包裝12-DFN (4x4)

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電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

28ns, 32ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

供應商設備包裝

16-SOIC

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 32V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.2V, 2.2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

15ns, 7ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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頻道類型

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門類型

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電壓-供電

13V ~ 17.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.1V, 1.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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驅動程序數量

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門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.9V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

200mA, 350mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

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