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HIP2101IR

HIP2101IR

僅供參考

型號 HIP2101IR
PNEDA編號 HIP2101IR
描述 IC DRIVER HALF-BRIDGE 16-QFN
制造商 Renesas Electronics America Inc.
單價 請求報價
庫存 3,456
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HIP2101IR資源

品牌 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HIP2101IR
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器
數據表
HIP2101IR, HIP2101IR數據表 (總頁數: 13, 大小: 734.27 KB)
PDFHIP2101IRT數據表 封面
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HIP2101IR規格

制造商Renesas Electronics America Inc.
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型N-Channel MOSFET
電壓-供電9V ~ 14V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.2V
電流-峰值輸出(源極,接收器)2A, 2A
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)114V
上升/下降時間(典型值)10ns, 10ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱16-VQFN Exposed Pad
供應商設備包裝16-QFN-EP (5x5)

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N-Channel MOSFET

電壓-供電

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邏輯電壓-VIL,VIH

0.6V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

290mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

200V

上升/下降時間(典型值)

100ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Renesas Electronics America Inc.

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驅動配置

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頻道類型

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驅動程序數量

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門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 5.5V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.8V, 3.1V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

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上升/下降時間(典型值)

8ns, 8ns

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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驅動配置

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.22V, 2.08V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

6A, 6A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 20ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

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系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

8V ~ 17V

邏輯電壓-VIL,VIH

1.3V, 2.7V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

4A, 4A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

120V

上升/下降時間(典型值)

7.2ns, 5.5ns

工作溫度

-40°C ~ 140°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

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驅動程序數量

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電壓-供電

0V ~ 16V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

-

輸入類型

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高壓側-最大(自舉)

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