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HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1

僅供參考

型號 HN1B01FDW1T1
PNEDA編號 HN1B01FDW1T1
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1B01FDW1T1資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1B01FDW1T1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
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HN1B01FDW1T1規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)2µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大380mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SC-74

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

4.5A, 3.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A

當前-集電極截止(最大值)

25nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V

功率-最大

1.7W

頻率-過渡

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工作溫度

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Surface Mount

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

30mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

300MHz

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安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

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