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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

僅供參考

型號 HN1B04FU-Y(T5L,F,T
PNEDA編號 HN1B04FU-Y-T5L-F-T
描述 TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,654
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1B04FU-Y(T5L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1B04FU-Y(T5L,F,T
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1B04FU-Y(T5L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型NPN, PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 6V
功率-最大200mW
頻率-過渡150MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 3mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1.5A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

-

工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

300nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

500mW

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NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

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工作溫度

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2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

120mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

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