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HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

僅供參考

型號 HN1C01FU-GR,LF
PNEDA編號 HN1C01FU-GR-LF
描述 TRANS 2NPN 50V 0.15A US6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,390
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1C01FU-GR資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1C01FU-GR,LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1C01FU-GR規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 2mA, 6V
功率-最大200mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

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工作溫度

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當前-集電極截止(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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600mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

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7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

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