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HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

僅供參考

型號 HN1C01FYTE85LF
PNEDA編號 HN1C01FYTE85LF
描述 TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 24,414
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 12 - 四月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1C01FYTE85LF資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1C01FYTE85LF
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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HN1C01FYTE85LF規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 10mA, 100mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 2mA, 6V
功率-最大300mW
頻率-過渡80MHz
工作溫度125°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SM6

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制造商

Nexperia USA Inc.

系列

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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系列

-

晶體管類型

6 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

2A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

120V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

15-SIP Formed Leads

供應商設備包裝

15-SIP

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN, PNP (Emitter Coupled)

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 1mA, 6V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

180MHz, 140MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

供應商設備包裝

EMT5

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Nexperia

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

-

晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

110 @ 2mA, 5V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

系列

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

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