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HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

僅供參考

型號 HN1D03FU,LF
PNEDA編號 HN1D03FU-LF
描述 DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 24,630
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN1D03FU資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN1D03FU,LF
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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HN1D03FU規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置2 Pair CA + CC
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)80V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)80mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)4ns
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 80V
工作溫度-結點125°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝US6

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 120V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

16A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

975mV @ 8A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 200V

工作溫度-結點

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

850mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 60V

工作溫度-結點

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安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

8A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 16A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

550µA @ 60V

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 300V

工作溫度-結點

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