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HN2D03F(TE85L,F)

HN2D03F(TE85L,F)

僅供參考

型號 HN2D03F(TE85L,F)
PNEDA編號 HN2D03F-TE85L-F
描述 DIODE ARRAY GP 400V 100MA SM6
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HN2D03F(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HN2D03F(TE85L,F)
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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HN2D03F(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管配置3 Independent
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)100mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 100mA
速度Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
反向恢復時間(trr)500ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 400V
工作溫度-結點150°C (Max)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-74, SOT-457
供應商設備包裝SM6

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 250A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

8mA @ 100V

工作溫度-結點

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安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

990mV @ 40A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 135V

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 80V

工作溫度-結點

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

85A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 85A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1600V

工作溫度-結點

-

安裝類型

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包裝/箱

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二極管配置

1 Pair Series Connection

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

16000V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

1.7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

10V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 16800V

工作溫度-結點

-

安裝類型

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