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HP8S36TB

HP8S36TB

僅供參考

型號 HP8S36TB
PNEDA編號 HP8S36TB
描述 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET,
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,428
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HP8S36TB資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HP8S36TB
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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HP8S36TB規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能-
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A, 80A
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.4mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs47nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6100pF @ 15V
功率-最大29W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝8-HSOP

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10A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 50V

功率-最大

2.2W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 15V

功率-最大

1W

工作溫度

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A, 2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 25V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V, 30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA, 3.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

26.2pF @ 10V

功率-最大

1.2W

工作溫度

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