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HS1JL MQG

HS1JL MQG

僅供參考

型號 HS1JL MQG
PNEDA編號 HS1JL-MQG
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 4,158
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS1JL MQG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS1JL MQG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS1JL MQG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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1200V

電流-平均整流(Io)

39A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1.2nF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-2

供應商設備包裝

TO-247-2

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

MUR160A A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

27pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

670mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 60V

電容@ Vr,F

110pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123FL

工作溫度-結點

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-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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800V

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3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2.5A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 800V

電容@ Vr,F

60pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

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