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HS1JL MTG

HS1JL MTG

僅供參考

型號 HS1JL MTG
PNEDA編號 HS1JL-MTG
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 8,280
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS1JL MTG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS1JL MTG
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS1JL MTG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-219AB
供應商設備包裝Sub SMA
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

300ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 150mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5nA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

1A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

1.7A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

72pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 50V

電容@ Vr,F

15pF @ 4V, 1MHz

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