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HS3F M6G

HS3F M6G

僅供參考

型號 HS3F M6G
PNEDA編號 HS3F-M6G
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 5,436
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS3F M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS3F M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS3F M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F80pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

600ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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制造商

Taiwan Semiconductor Corporation

系列

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

20V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 20V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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1000V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

100ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

25pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-50°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 50V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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