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HS5K M6G

HS5K M6G

僅供參考

型號 HS5K M6G
PNEDA編號 HS5K-M6G
描述 DIODE GEN PURP 800V 5A DO214AB
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 3,402
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HS5K M6G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HS5K M6G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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HS5K M6G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)800V
電流-平均整流(Io)5A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)75ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 800V
電容@ Vr,F50pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

7.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 7.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

1ns

當前-反向泄漏@ Vr

200nA @ 40V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1400V

電流-平均整流(Io)

250A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

920pF @ 1V, 1MHz

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