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HSM830G/TR13

HSM830G/TR13

僅供參考

型號 HSM830G/TR13
PNEDA編號 HSM830G-TR13
描述 DIODE SCHOTTKY 30V 8A DO215AB
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HSM830G/TR13資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HSM830G/TR13
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
HSM830G/TR13, HSM830G/TR13數據表 (總頁數: 2, 大小: 105.96 KB)
PDFHSM845J/TR13數據表 封面
HSM845J/TR13數據表 頁面 2

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HSM830G/TR13規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)30V
電流-平均整流(Io)8A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果620mV @ 8A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 30V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-215AB, SMC Gull Wing
供應商設備包裝DO-215AB
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

30pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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GeneSiC Semiconductor

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 6A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

200ns

當前-反向泄漏@ Vr

25µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-4

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AC, SMA

供應商設備包裝

DO-214AC (SMA)

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 6A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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