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HUF75623S3ST

HUF75623S3ST

僅供參考

型號 HUF75623S3ST
PNEDA編號 HUF75623S3ST
描述 MOSFET N-CH 100V 22A D2PAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,778
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HUF75623S3ST資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HUF75623S3ST
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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HUF75623S3ST規格

制造商ON Semiconductor
系列UltraFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs64mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs52nC @ 20V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds790pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)85W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

920pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

54.8A (Ta), 219A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.04mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7300pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2620pF @ 10V

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.35Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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